SiC以及GaN的技术运用挑战
时间:2025-03-02 04:35:07 来源:青枫少女网 作者:百科 阅读:649次
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1 SiC以及GaN的及技术优势
比照传统MOSFET以及IGBT妄想,SiC以及GaN器件提供更高的运用功率密度,具备更低的挑战栅极驱动斲丧以及更高的开关速率 。尽管SiC以及GaN在某些低于10 kW功率的及技术运用上有一些重叠 ,但各自处置的运用功率需要是差距的 。
SiC 器件提供更高的挑战耐压水暖以及电流承载能耐
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1 SiC以及GaN的及技术优势
比照传统MOSFET以及IGBT妄想,SiC以及GaN器件提供更高的运用功率密度,具备更低的挑战栅极驱动斲丧以及更高的开关速率 。尽管SiC以及GaN在某些低于10 kW功率的及技术运用上有一些重叠 ,但各自处置的运用功率需要是差距的 。
SiC 器件提供更高的挑战耐压水暖以及电流承载能耐